NTJD4152PT1G
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RF/if und RFID
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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- Solid State Lighting Steckverbinder(2295)
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- Buchsen für ICS, Transistoren(2223)
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- Rechteckige Steckverbinder-Gehäuse(28877)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, Spezial-PIN(5397)
- Rechteckige Anschlüsse - Header, Gefäße, weibliche Sockel(23450)
- Rechteckige Verbinder-Kopfzeilen, männliche Pins(138439)
- Rechteckige Anschlüsse - kostenloses Hängen, Panelhalterung(15074)
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- Rechteckige Anschlüsse - Arrays, Kantentyp, Mezzanin (Board zu Board)(14186)
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- Austauschbare Steckverbinder(5229)
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi NTJD4152PT1G
| Artikelnummer: | NTJD4152PT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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-
onsemi NTJD4152PT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTJD4152PT1G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V Leistung - max 272mW Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 155pF @ 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 880mA Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Grundproduktnummer NTJD4152 NTJD4152PT1G Einzelheiten PDF [English] NTJD4152PT1G PDF - EN.pdf -
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